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GMV2114-GM1: 产品描述C BAND, 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小122KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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GMV2114-GM1概述

C BAND, 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE

GMV2114-GM1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	R-PDSO-N2
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW INDUCTANCE, LOW NOISE
最小击穿电压	22 V
配置	SINGLE
最小二极管电容比	3.3
标称二极管电容	2.1 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	C BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-N2
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	900
最大重复峰值反向电压	22 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
变容二极管分类	HYPERABRUPT

GMV2114-GM1相似产品对比

	GMV2114-GM1	GMV1000	GMV1981-GM1	GMV1542-GM1	GMV2100	GMV2154-GM1	GMV5000	GMV2134-GM1	GMV5007-GM1
描述	C BAND, 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 0.25 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 0.25 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 0.25 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 0.25 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE	C BAND, 22 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	-	符合	-	符合	符合
厂商名称	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi	-	Microsemi	-	Microsemi	Microsemi
包装说明	R-PDSO-N2	-	R-PDSO-N2	R-PDSO-N2	-	R-PDSO-N2	-	R-PDSO-N2	R-PDSO-N2
针数	2	-	2	2	-	2	-	2	2
Reach Compliance Code	compli	-	compli	compli	-	compli	-	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	-	EAR99	-	EAR99	EAR99
其他特性	LOW INDUCTANCE, LOW NOISE	-	LOW INDUCTANCE, LOW NOISE	LOW INDUCTANCE, LOW NOISE	-	LOW INDUCTANCE, LOW NOISE	-	LOW INDUCTANCE, LOW NOISE	LOW INDUCTANCE, LOW NOISE
最小击穿电压	22 V	-	12 V	30 V	-	22 V	-	22 V	22 V
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
最小二极管电容比	3.3	-	-	3.4	-	4.1	-	3.7	13
标称二极管电容	2.1 pF	-	0.25 pF	2.4 pF	-	14 pF	-	4.9 pF	2.5 pF
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	-	SILICON	-	SILICON	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	-	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	-	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	-	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	C BAND	-	C BAND	C BAND	-	C BAND	-	C BAND	C BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-N2	-	R-PDSO-N2	R-PDSO-N2	-	R-PDSO-N2	-	R-PDSO-N2	R-PDSO-N2
元件数量	1	-	1	1	-	1	-	1	1
端子数量	2	-	2	2	-	2	-	2	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
最小质量因数	900	-	1200	3800	-	600	-	750	1200
最大重复峰值反向电压	22 V	-	12 V	30 V	-	22 V	-	22 V	22 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	-	YES	-	YES	YES
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	-	DUAL	-	DUAL	DUAL

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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