Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP40,.6 |
| 针数 | 40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 | 10 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 8 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T40 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 52.197 mm |
| I/O 线路数量 | 24 |
| 端口数量 | 3 |
| 端子数量 | 40 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 6 V |
| 最小供电电压 | 4 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE |
KS82C55A是一款可编程的外设接口，它具有低功耗的CMOS实现。低功耗CMOS技术主要通过以下几个方面来降低功耗：
高效率的CMOS工艺：CMOS（互补金属氧化物半导体）技术通过使用P型和N型MOSFET的互补特性来减少静态功耗。在KS82C55A中，CMOS工艺的使用意味着当没有切换发生时，电路的功耗非常低。
TTL兼容性与总线保持电路：KS82C55A提供了TTL（晶体管-晶体管逻辑）兼容性，并且所有I/O端口都有总线保持电路。这些总线保持电路在不活跃时可以保持输出状态，而不需要额外的上拉电阻，这有助于减少功耗。
3态双向数据总线：KS82C55A具有3态双向数据总线，这意味着数据总线可以在需要时才激活，而在其他时候则处于高阻抗状态，从而减少功耗。
直接位设置/重置能力：KS82C55A允许对端口C的单个位进行设置或重置，而不需要对整个端口进行操作。这种能力可以减少不必要的写操作，从而降低功耗。
增强的控制字读取能力：KS82C55A提供了增强的控制字读取能力，这允许更有效的使用控制信息，减少对设备的不必要访问，从而降低功耗。
低功耗待机模式：KS82C55A设计用于便携式系统或具有低功耗待机模式的系统中，这意味着它可以在不需要时进入低功耗状态。
内部电路设计：KS82C55A的内部电路设计可能还包括其他低功耗特性，如电源管理功能和优化的时钟频率等。
通过这些特性和设计，KS82C55A能够在保持高性能的同时实现低功耗操作，适合于对功耗有严格要求的应用场景。
| KS82C55A-10IP | KS82C55A-10IL | KS82C55A-8CL | KS82C55A-8CP | KS82C55A-8IL | KS82C55A-10CL | KS82C55A-8IP | KS82C55A-10CP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PQCC44, PLASTIC, LCC-44 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | Parallel I/O Port, 24 I/O, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIP | LCC | LCC | DIP | LCC | LCC | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP40,.6 | QCCJ, LDCC44,.7SQ | PLASTIC, LCC-44 | PLASTIC, DIP-40 | PLASTIC, LCC-44 | QCCJ, LDCC44,.7SQ | PLASTIC, DIP-40 | DIP, DIP40,.6 |
| 针数 | 40 | 44 | 44 | 40 | 44 | 44 | 40 | 40 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 | 10 MHz | 10 MHz | 8 MHz | 8 MHz | 8 MHz | 10 MHz | 8 MHz | 10 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T40 | S-PQCC-J44 | S-PQCC-J44 | R-PDIP-T40 | S-PQCC-J44 | S-PQCC-J44 | R-PDIP-T40 | R-PDIP-T40 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 52.197 mm | 16.5862 mm | 16.5862 mm | 52.197 mm | 16.5862 mm | 16.5862 mm | 52.197 mm | 52.197 mm |
| I/O 线路数量 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 | 24 |
| 端口数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 端子数量 | 40 | 44 | 44 | 40 | 44 | 44 | 40 | 40 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C | 85 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | QCCJ | QCCJ | DIP | QCCJ | QCCJ | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 | LDCC44,.7SQ | LDCC44,.7SQ | DIP40,.6 | LDCC44,.7SQ | LDCC44,.7SQ | DIP40,.6 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE | RECTANGULAR | SQUARE | SQUARE | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 4.57 mm | 4.57 mm | 5.08 mm | 4.57 mm | 4.57 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V | 6 V |
| 最小供电电压 | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO | YES | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL | QUAD | QUAD | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 16.5862 mm | 16.5862 mm | 15.24 mm | 16.5862 mm | 16.5862 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE |
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