IDT7MP1023S40Z概述

Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 40ns, CMOS, PZIP64

IDT7MP1023S40Z规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	40 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PZIP-T64
JESD-609代码	e0
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度	8
端口数量	2
端子数量	64
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP
封装等效代码	ZIP64/68,.1,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.065 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.66 mA
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	30

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IDT7MP1023S40Z相似产品对比

	IDT7MP1023S40Z	IDT7MP1023S65Z	7MP1023S65Z	IDT7MP1021S40Z	IDT7MP1021S50Z	IDT7MP1021S65Z	IDT7MP1023S50Z
描述	Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 40ns, CMOS, PZIP64	Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS, PZIP64	Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS, PZIP64	Application Specific SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PZIP64	Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 50ns, CMOS, PZIP64	Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 65ns, CMOS, PZIP64	Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 50ns, CMOS, PZIP64
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	40 ns	65 ns	65 ns	40 ns	50 ns	65 ns	50 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PZIP-T64	R-PZIP-T64	R-PZIP-T64	R-PZIP-T64	R-PZIP-T64	R-PZIP-T64	R-PZIP-T64
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	524288 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	APPLICATION SPECIFIC SRAM	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
端口数量	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	64	64	64	64	64	64	64
字数	65536 words	65536 words	65536 words	131072 words	131072 words	131072 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	128000	128000	128000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	128KX8	128KX8	128KX8	64KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ZIP	ZIP	ZIP	ZIP	ZIP	ZIP	ZIP
封装等效代码	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1	ZIP64/68,.1,.1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.065 A	0.065 A	0.065 A	0.125 A	0.125 A	0.125 A	0.065 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.66 mA	0.66 mA	0.66 mA	0.94 mA	0.94 mA	0.94 mA	0.66 mA
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30

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