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IDT7MP1021S40Z

产品描述Application Specific SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PZIP64
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文件大小445KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MP1021S40Z概述

Application Specific SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PZIP64

IDT7MP1021S40Z规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间40 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PZIP-T64
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度8
端口数量2
端子数量64
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP64/68,.1,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.125 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.94 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间30

IDT7MP1021S40Z相似产品对比

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描述 Application Specific SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, PZIP64 Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS, PZIP64 Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS, PZIP64 Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 50ns, CMOS, PZIP64 Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 65ns, CMOS, PZIP64 Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 40ns, CMOS, PZIP64 Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 50ns, CMOS, PZIP64
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 40 ns 65 ns 65 ns 50 ns 65 ns 40 ns 50 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PZIP-T64 R-PZIP-T64 R-PZIP-T64 R-PZIP-T64 R-PZIP-T64 R-PZIP-T64 R-PZIP-T64
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1048576 bit 524288 bit 524288 bit 1048576 bit 1048576 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 APPLICATION SPECIFIC SRAM MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
端口数量 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 64 64 64 64 64 64 64
字数 131072 words 65536 words 65536 words 131072 words 131072 words 65536 words 65536 words
字数代码 128000 64000 64000 128000 128000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 64KX8 64KX8 128KX8 128KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 ZIP ZIP ZIP ZIP ZIP ZIP ZIP
封装等效代码 ZIP64/68,.1,.1 ZIP64/68,.1,.1 ZIP64/68,.1,.1 ZIP64/68,.1,.1 ZIP64/68,.1,.1 ZIP64/68,.1,.1 ZIP64/68,.1,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.125 A 0.065 A 0.065 A 0.125 A 0.125 A 0.065 A 0.065 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.94 mA 0.66 mA 0.66 mA 0.94 mA 0.94 mA 0.66 mA 0.66 mA
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30
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