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HBDW93C

产品描述NPN SILICON TRANSISTOR
文件大小137KB,共2页
制造商Huashan ( SHEDCL )
官网地址http://www.huashan.com.cn/
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HBDW93C概述

NPN SILICON TRANSISTOR

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
NPN DARLINGTON TRANSISTOR
HBDW93C
APPLICATIONS
Power Linear And Switching Applicatione.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
T
stg
——Storage
Temperature…………………………
-65~150℃
T
j
——Junction
Temperature……………………………… 150℃
P
C
——Collector
Dissipation(T
c
=25℃)…………………… 80W
V
CBO
——Collector-Base
Voltage……………………………100V
V
CEO
——Collector-Emitter
Voltage………………………… 100V
I
C
——Collector
Current(DC)……………………………… 12A
I
C
——Collector
Current Pulse)
………………………………15A
I
B
——Base
Current……………………………………………0.2A
TO-220
1―
Base,B
2―Collector,C
3―Emitter, E
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
a
=25℃)
Symbol
Characteristics
Collector-Emitter Sustaining Voltage
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
BV
CEO(SUS)
I
CEO
I
EBO
I
CBO
H
FE(1)
H
FE(2)
H
FE(3)
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
V
BE(sat2)
100
1
2
100
1000
750
100
20000
2
3
2.5
4
V
mA
mA
μA
I
C
=100mA, I
B
=0
V
CE
=100V, I
B
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CB
=100V, I
E
=0
V
CE
=3V, I
C
=3A
V
CE
=3V, I
C
=5A
V
CE
=3V, I
C
=10A
Collector Cut-off Current
Emitter-Base Cutoff Current
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Collector- Emitter Saturation Voltage
Collector- Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
V
V
V
V
I
C
=5A, I
B
=20mA
I
C
=10A, I
B
=100mA
I
C
=5A,I
B
=20mA
I
C
=10A,I
B
=100mA
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