LH6V4256D-10概述

Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDIP20, DIP-20

LH6V4256D-10规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SHARP
包装说明	DIP-20
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDIP-T20
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL

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LH6V4256D-10相似产品对比

	LH6V4256D-10	LH6V4256K-10	LH6V4256T-10
描述	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDIP20, DIP-20	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO26, SOJ-26	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13 MM, PLASTIC, TSOP1-28
厂商名称	SHARP	SHARP	SHARP
包装说明	DIP-20	SOJ-26	8 X 13 MM, PLASTIC, TSOP1-28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns	100 ns	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDIP-T20	R-PDSO-J26	R-PDSO-G28
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	20	26	28
字数	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.63 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	2.97 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
长度	-	17.2 mm	11.8 mm
端子节距	-	1.27 mm	0.55 mm
宽度	-	7.7 mm	8 mm

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