MBM29F200TA-90PFTN-X概述

Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

MBM29F200TA-90PFTN-X规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	PLASTIC, TSOP1-48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 128K X 16
备用内存宽度	8
启动块	TOP
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,3
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	12 mm

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MBM29F200TA-90PFTN-X相似产品对比

	MBM29F200TA-90PFTN-X	MBM29F200BA-90PF-X	MBM29F200BA-12PFTR-X	MBM29F200TA-12PFTR-X
描述	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48	Flash, 256KX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
包装说明	PLASTIC, TSOP1-48	SOP, SOP44,.63	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	90 ns	90 ns	120 ns	120 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 128K X 16	CONFIGURABLE AS 128K X 16	CONFIGURABLE AS 128K X 16	CONFIGURABLE AS 128K X 16
备用内存宽度	8	8	8	8
启动块	TOP	BOTTOM	BOTTOM	TOP
命令用户界面	YES	YES	YES	YES
数据轮询	YES	YES	YES	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	18.4 mm	28.45 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
部门数/规模	1,2,1,3	1,2,1,3	1,2,1,3	1,2,1,3
端子数量	48	44	48	48
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	SOP	TSOP1-R	TSOP1-R
封装等效代码	TSSOP48,.8,20	SOP44,.63	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	2.5 mm	1.2 mm	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	12 mm	13 mm	12 mm	12 mm

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