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MBM29F200BA-90PF-X

产品描述Flash, 256KX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
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文件大小752KB,共16页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM29F200BA-90PF-X概述

Flash, 256KX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44

MBM29F200BA-90PF-X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明SOP, SOP44,.63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 128K X 16
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度28.45 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度2.5 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度13 mm

MBM29F200BA-90PF-X相似产品对比

MBM29F200BA-90PF-X MBM29F200BA-12PFTR-X MBM29F200TA-90PFTN-X MBM29F200TA-12PFTR-X
描述 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
包装说明 SOP, SOP44,.63 PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 PLASTIC, TSOP1-48 PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 90 ns 120 ns 90 ns 120 ns
其他特性 CONFIGURABLE AS 128K X 16 CONFIGURABLE AS 128K X 16 CONFIGURABLE AS 128K X 16 CONFIGURABLE AS 128K X 16
备用内存宽度 8 8 8 8
启动块 BOTTOM BOTTOM TOP TOP
命令用户界面 YES YES YES YES
数据轮询 YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G48 R-PDSO-G48 R-PDSO-G48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 28.45 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
部门数/规模 1,2,1,3 1,2,1,3 1,2,1,3 1,2,1,3
端子数量 44 48 48 48
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP TSOP1-R TSOP1 TSOP1-R
封装等效代码 SOP44,.63 TSSOP48,.8,20 TSSOP48,.8,20 TSSOP48,.8,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES YES
座面最大高度 2.5 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
部门规模 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K 16K,8K,32K,64K
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES YES YES YES
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 13 mm 12 mm 12 mm 12 mm
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