Audio Amplifier, 3W, 1 Channel(s), 1 Func, CMOS, PDSO8, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TDFN-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | American Power Devices Inc |
零件包装代码 | DFN |
包装说明 | HVSON, |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
商用集成电路类型 | AUDIO AMPLIFIER |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 3 mm |
信道数量 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
标称输出功率 | 3 W |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVSON |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.85 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.4 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 3 mm |
APA2010QBI-TRL | APA2010AHAI-TRL | APA2010AQBI-TRL | APA2010HAI-TRL | |
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描述 | Audio Amplifier, 3W, 1 Channel(s), 1 Func, CMOS, PDSO8, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TDFN-8 | Audio Amplifier, 3W, 1 Channel(s), 1 Func, CMOS, PBGA9, 1.50 X 1.50 MM, ROHS COMPLIANT, WLCSP-9 | Audio Amplifier, 3W, 1 Channel(s), 1 Func, CMOS, PDSO8, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, TDFN-8 | Audio Amplifier, 3W, 1 Channel(s), 1 Func, CMOS, PBGA9, 1.50 X 1.50 MM, ROHS COMPLIANT, WLCSP-9 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | American Power Devices Inc | American Power Devices Inc | American Power Devices Inc | American Power Devices Inc |
零件包装代码 | DFN | BGA | DFN | BGA |
包装说明 | HVSON, | VFBGA, | HVSON, | VFBGA, |
针数 | 8 | 9 | 8 | 9 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
商用集成电路类型 | AUDIO AMPLIFIER | AUDIO AMPLIFIER | AUDIO AMPLIFIER | AUDIO AMPLIFIER |
JESD-30 代码 | S-PDSO-N8 | S-PBGA-B9 | S-PDSO-N8 | S-PBGA-B9 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 3 mm | 1.5 mm | 3 mm | 1.5 mm |
信道数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 9 | 8 | 9 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
标称输出功率 | 3 W | 3 W | 3 W | 3 W |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVSON | VFBGA | HVSON | VFBGA |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | 260 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.85 mm | 0.67 mm | 0.85 mm | 0.67 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.4 V | 2.4 V | 2.4 V | 2.4 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD | BALL | NO LEAD | BALL |
端子节距 | 0.65 mm | 0.5 mm | 0.65 mm | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL | BOTTOM | DUAL | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 | 40 |
宽度 | 3 mm | 1.5 mm | 3 mm | 1.5 mm |
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