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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANHCA2N6766
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JANHCA2N6766

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小469KB，共27页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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JANHCA2N6766概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3

JANHCA2N6766规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明DIE-3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XUUC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/543G
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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描述 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIE-3 TO-204, 2 PIN TO-204, 2 PIN DIE-3 DIE-3 TO-204, 2 PIN DIE-3 TO-204, 2 PIN HERMETIC SEALED, TO-204, 2 PIN
Reach Compliance Code unknown compli compli compli compliant unknown unknown unknown unknown
雪崩能效等级（Eas） 500 mJ 11.3 mJ 11.3 mJ 700 mJ 150 mJ 150 mJ 750 mJ 150 mJ 60 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 400 V 400 V 400 V 100 V 100 V 500 V 100 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 30 A 14 A 14 A 14 A 38 A 38 A 12 A 38 A 30 A
最大漏极电流 (ID) 30 A 14 A 14 A 14 A 38 A 38 A 12 A 38 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.085 Ω 0.4 Ω 0.4 Ω 0.3 Ω 0.055 Ω 0.065 Ω 0.4 Ω 0.065 Ω 0.09 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 S-XUUC-N3 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 S-XUUC-N3 S-XUUC-N3 O-MBFM-P2 S-XUUC-N3 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 3 3 2 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED METAL METAL UNSPECIFIED UNSPECIFIED METAL UNSPECIFIED METAL METAL
封装形状 SQUARE ROUND ROUND SQUARE SQUARE ROUND SQUARE ROUND ROUND
封装形式 UNCASED CHIP FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT UNCASED CHIP UNCASED CHIP FLANGE MOUNT UNCASED CHIP FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 120 A 56 A 56 A 56 A 152 A 152 A 48 A 152 A 120 A
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/543G MIL-19500/543 MIL-19500/543 MIL-19500/543G MIL-19500/543G MIL-19500/543 MIL-19500/543G MIL-19500/543 MIL-19500/543
表面贴装 YES NO NO YES YES NO YES NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD PIN/PEG PIN/PEG NO LEAD NO LEAD PIN/PEG NO LEAD PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 UPPER BOTTOM BOTTOM UPPER UPPER BOTTOM UPPER BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Infineon(英飞凌) - - - Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
其他特性 - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY - - HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
JEDEC-95代码 - TO-204 TO-204 - - TO-204 - TO-204 TO-204

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