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MT48LC8M32LFF5-8IT: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, VFBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共75页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT48LC8M32LFF5-8IT概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, VFBGA-90

MT48LC8M32LFF5-8IT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	8 X 13 MM, VFBGA-90
针数	90
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0
长度	13 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	235
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.255 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8 mm

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256Mb: x32 Mobile SDRAM

Features

Mobile SDRAM

MT48LC8M32LF, MT48V8M32LF, MT48H8M32LF - 2 Meg x 32 x 4 banks

For the latest data sheet, refer to Micron’s Web site:

www.micron.com/products/dram/mobile

Features

•

Low voltage power supply

Partial array self refresh power-saving mode

Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)

Deep power-down mode

Programmable output drive strength

Fully synchronous; all signals registered on positive

edge of system clock

Internal pipelined operation; column address can

be changed every clock cycle

Internal banks for hiding row access/precharge

Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page

Auto precharge, includes concurrent auto

precharge, and auto refresh modes

Self-refresh mode; standard and low power

64ms, 4,096-cycle refresh

LVTTL-compatible inputs and outputs

Commercial and industrial temperature ranges

Supports CAS latency of 1, 2, 3

Options

• V

• 3.3V/3.3V

• 2.5V/2.5V

• 1.8V/1.8V

• Configurations

• 8 Meg x 32 (2 Meg x 32 x 4 banks)

• Package/Ballout

• 90-ball VFBGA (8mm x 13mm)

(Standard)

• 90-ball VFBGA (8mm x 13mm)

(Lead-free)

• Timing (Cycle Time)

• 7.5ns @ CL = 3 (133 MHz)

• 7.5ns @ CL = 2 (104 MHz)

• 8ns @ CL = 3 (125 MHz)

• 8ns @ CL = 2 (104 Mhz)

• 10ns @ CL = 3 (100 MHz)

• 10ns @ CL = 2 (83 Mhz)

• Operating Temperature Range

• Commercial (0° to +70°C)

• Industrial (-40°C to +85°C)

Marking

8M32

-75

-8

-10

None

Table 1: Addressing

8 Meg x 32

Configuration

Refresh Count

Row Addressing

Bank Addressing

Column Addressing

2 Meg x 32 x 4 banks

4K (A0–A11)

4 (BA0, BA1)

512 (A0–A8)

Table 2: Key Timing Parameters

CL = CAS (READ) latency

Speed

Grade

-75

-8

-10

-75

-8

-10

Clock

Frequency

133 MHz

125 MHz

100 MHz

133 MHz

104 MHz

83 MHz

Access Time

CL = 2

–

7ns

8ns

CL = 3

6ns

7ns

–

Setup

Time

2.5ns

Hold

Time

1ns

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Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

256Mb: x32 Mobile SDRAM

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

FBGA Part Number System . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Assignment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Ball Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Register Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Mode Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Burst Length . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

Burst Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

CAS Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Bank/Row Activation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

READs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

WRITEs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

Truth Tables . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .41

Electrical Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .46

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .46

Notes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .54

Timing Diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .56

Package Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .75

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256Mb: x32 Mobile SDRAM

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

Figure 13:

Figure 14:

Figure 15:

Figure 16:

Figure 17:

Figure 18:

Figure 19:

Figure 20:

Figure 21:

Figure 22:

Figure 23:

Figure 24:

Figure 25:

Figure 26:

Figure 27:

Figure 28:

Figure 29:

Figure 30:

Figure 31:

Figure 32:

Figure 33:

Figure 34:

Figure 35:

Figure 36:

Figure 37:

Figure 38:

Figure 39:

Figure 40:

Figure 41:

Figure 42:

Figure 43:

Figure 44:

Figure 45:

Figure 46:

Figure 47:

Figure 48:

Figure 49:

Figure 50:

Figure 51:

Figure 52:

Figure 53:

Functional Block Diagram 8 Meg x 32 SDRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

90-Ball VFBGA (Top View) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Mode Register Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

CAS Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Low Power Extended Mode Register Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Activating a Specific Row in a Specific Bank . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Example: Meeting tRCD (MIN) When 2 < tRCD (MIN)/tCK < 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

READ Command . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

CAS Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Consecutive READ Bursts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .25

Random READ Accesses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

READ to WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

READ to WRITE with Extra Clock Cycle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

READ to PRECHARGE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

Terminating a READ Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30

WRITE Command . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

WRITE Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

WRITE to WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

Random WRITE Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33

WRITE to READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33

WRITE to PRECHARGE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .34

Terminating a WRITE Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .35

PRECHARGE Command . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36

Power-Down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36

Clock Suspend During WRITE Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .38

Clock Suspend During READ Burst . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .38

READ With Auto Precharge Interrupted by a READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .39

READ With Auto Precharge Interrupted by a WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .39

WRITE With Auto Precharge Interrupted by a READ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40

WRITE With Auto Precharge Interrupted by a WRITE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40

Typical Self Refresh Current vs. Temperature – 3.3V Part . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51

Typical Self Refresh Current vs. Temperature – 2.5V Part . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52

Typical Self Refresh Current vs. Temperature – 1.8V Part . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52

Initialize and Load Mode Register

1,2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .56

Power-Down Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .57

Clock Suspend Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58

Auto Refresh Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59

Self Refresh Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .60

READ – Without Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .61

Read – With Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .62

Single Read – Without Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .63

Single Read – With Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .64

Alternating Bank Read Accesses

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .65

Read – Full-page Burst

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .66

Read – DQM Operation

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .67

Write – Without Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .68

Write – With Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .69

Single Write – Without Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .70

Single Write – With Auto Precharge

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .71

Alternating Bank Write Accesses

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .72

Write – Full-page Burst

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .73

Write – DQM Operation

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .74

90-Ball VFBGA (8mm x 13mm) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .75

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256Mb: x32 Mobile SDRAM

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

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Table 16:

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Table 18:

Table 19:

Table 20:

Table 21:

Addressing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Key Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Cross Reference For VFBGA Device Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Ball Descriptions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

Burst Definition Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

CAS Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Truth Table – Commands and DQM Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

Truth Table – CKE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .41

Truth Table – Current State Bank

Command To Bank

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .42

Truth Table – Current State Bank

Command To Bank

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .46

DC Electrical Characteristics and Operating Conditions (LC version) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .46

DC Electrical Characteristics and Operating Conditions (V version) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47

DC Electrical Characteristics and Operating Conditions (H version) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .47

Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .48

AC Functional Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49

Specifications and Conditions (LC version) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49

Specifications and Conditions (V version). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50

Specifications and Conditions (H version) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50

7 – Self Refresh Current Options . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .51

Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .53

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MT48LC8M32LFF5-8IT相似产品对比

	MT48LC8M32LFF5-8IT	MT48LC8M32LFB5-8	MT48V8M32LFB5-8	MT48V8M32LFB5-8IT	MT48LC8M32LFB5-8IT	MT48H8M32LFF5-8IT	MT48H8M32LFF5-10IT
描述	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, VFBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, VFBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, VFBGA-90	Synchronous DRAM, 8MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, VFBGA-90
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	8 X 13 MM, VFBGA-90	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32	VFBGA, BGA90,9X15,32	8 X 13 MM, VFBGA-90	8 X 13 MM, VFBGA-90
针数	90	90	90	90	90	90	90
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz	125 MHz	125 MHz	125 MHz	125 MHz	125 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0	e1	e1	e1	e1	e0	e0
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	90	90	90	90	90	90	90
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	235	260	260	260	260	235	235
电源	3.3 V	3.3 V	2.5 V	2.5 V	3.3 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	0.255 mA	0.255 mA	0.255 mA	0.255 mA	0.255 mA	0.21 mA	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	2.7 V	2.7 V	3.6 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	2.3 V	2.3 V	3 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	2.5 V	2.5 V	3.3 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm

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并联逆变器的含义，电流顺时针流动

并联逆变器由两个晶闸管(T1和T2)、一个电容器、中心抽头变压器和一个电感器组成。晶闸管用于提供电流通路，而电感器L用于使电流源恒定。这些晶闸管由连接在它们之间的换向电容器控制导通和关断。并联逆变器是什么意思这互补换向方法用于打开和关闭电容器。互补换向意味着当T1接通时，点火角被施加到T2，然后电容器将关断T1。确切的情况是，当T2开启且点火角施加到T1时，由于电容电压，T2将关闭。输出...[详细]
对于纯电动汽车它是否是真的环保

近几年来，很多人都换上了新能源汽车，而这种车也确实受到了大力的追捧，也认为是未来汽车发展的方向，甚至将来会彻底地取代燃油车。但这些不过都是大家看到的表面现象，而事实上的新能源存在的问题还很多，之所以有这么多人选择了这种车，无非就是看上了国家补贴的政策，也就是说没有了这个补贴，或许这种车型也不会有如此快速的发展，但很多人都在怀疑，相比燃油车，这种车真的环保吗？电动汽车发展到现在也有百年的历史...[详细]
语音识别技术原理简介

语音识别技术原理简介自动语音识别技术(Auto Speech Recognize，简称ASR)所要解决的问题是让计算机能够“听懂”人类的语音，将语音中包含的文字信息“提取”出来。ASR技术在“能听会说”的智能计算机系统中扮演着重要角色，相当于给计算机系统安装上“耳朵”，使其具备“能听”的功能，进而实现信息时代利用“语音”这一最自然、最便捷的手段进行人机通信和交互。语音识别技术所面临的问题...[详细]
小鹏汽车与芯联集成联合开发国内首个混合碳化硅产品实现量产

近日，小鹏汽车与芯联集成联合宣布，国内首个混合碳化硅产品已实现量产。该产品由小鹏汽车设计开发、芯联集成联合开发并量产落地。这一成果为提升新能源汽车的性能和降低成本开辟了新路径。碳化硅（SiC）材料因其卓越的物理特性，如更高的导热系数、击穿电压和开关速度，在功率半导体领域展现出巨大优势，成为推动新能源汽车技术进步和未来发展的关键方向。然而，较高的成本一直制约着碳化硅技术的广泛应用。...[详细]
SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用，为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK 海力士开发了一种容量为 2Tb 的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量 N...[详细]
STM32定时器应用——PWM

STM32的定时器有三种，高级定时器（TIM1和TIM8），通用定时器（TIM2、TIM3、TIM4、TIM5）和基本定时器（TIM6和TIM7）。这三者的区别是：基本定时器：基本定时器功能比较简单，主要是计时，也可以为DAC提供时钟，直接触发驱动DAC 通用定时器：通用定时器除了基本的定时功能外，还可以测量输入信号的脉冲长度，也就是输入捕获功能，也可以产生输出波形，即输出比...[详细]
工业电脑的机器视觉

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品英Pickering 助力用户在未来汽车测试中处于领先地位

2025中国国际汽车测试展将于2025年8月27-29日在上海世博展览馆举行 2025年8月 22 日，英国克莱克顿海滨 —— 易开发、易部署、高性能的电子测试/验证系统的领先制造商与服务商，模块化信号开关和信号仿真解决方案的全球供应商，英国Pickering集团将在2025年8月27-29日举办的2025中国国际汽车测试展(Automotive Testing Expo China)期间，...[详细]
关于STM32单片机的IAP实现

一、基础概念什么是IAP？IAP即在应用中编程(In-Application Programming IAP)，简单的说就像是一个用户自定义的升级程序。实际上，STM32单片机的程序烧写有多种方法，可以用JTAG，也可用串口通过ISP软件烧写新程序。 JTAG的方式需要专用的烧写工具，在产品布置到现场后，更新产品程序比较麻烦，而通过串口的ISP软件升级方法可以直接使用常见的串口线升级程序，十...[详细]
插电式混合动力汽车在冬季使用时有哪些注意事项

很多时候我们都会听说，纯电动汽车在冬季的时候使用需要注意什么样的问题，甚至很多车主都会去做相关的攻略，如对于车辆采取“随用随充”原则，车辆使用完毕后立即进行充电，因为此时电池温度相对较高，可以提高充电效率。另外也会提前为出行做一些规划，避免续航里程不够的情况，甚至在出行的不敢开空调来进行取暖。由于纯电动汽车设计的原因，在冬天使用空调取暖的，是相当耗电的，另一个方面用开空调出热风慢也是一个方...[详细]
在车辆自燃方面，电动汽车和燃油汽车有什么不一样

说起车辆的自燃问题，无论是纯电动汽车还是燃油车，都会有自燃的事件出现，对于同样是自燃，电动汽车和燃油车汽车有哪些不一样？从车辆的特性上面来说，电动汽车自燃以动力电池等部件所引起，而燃油车的自燃以电路和油路故障等问题所引起，纯电动汽车来说，采用的是三元锂电池，随着动力电池的能量密度变高，电池内部电极变得活跃，一旦电池出现问题，便会留下安全隐患，加之电动汽车电池组数量多，采用叠加电池来实现，...[详细]
纯电动汽车和燃油车在保养方面谁更划算

电动汽车在结构上面是由三电所组成的，从车辆的保养角度上面来说，相对于燃油车要简单很多，电动汽车在保养上面来说，车辆的保养重心基本上是放在电动机和电池组上上面，相对燃油车复杂的系统来说，保养要比传统燃油车省事一些。电动汽车与燃油车在结构上的不一样，决定了两者在养车的项目以及保养费用上的差别。以纯电汽车的保养为例，纯电动汽车在保养上面三电基本上面以检查为主，而根据部分车企的保养政策来说，前面几...[详细]
共模半导体发布：5V，3A 高效率小尺寸降压电源模块GM6503系列

共模半导正式推出 GM6503系列产品 —— 一颗面向光通信、服务器、工业及 FPGA/ASIC 核心供电的 5 V、3 A 同步降压 DC/DC 电源模块。 GM6503系列产品提供三种封装，频率从1.5MHz至3MHz，可满足不同型号的原位替代。其中GM6503凭借 3 MHz 固定频率、22 ns 最小导通时间以及 92 °C/W 超低热阻 LGA-10 封装，在 2.5 mm × 2....[详细]

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