5962-8873403LA概述

OTP ROM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24

5962-8873403LA规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	CERAMIC, DIP-24
针数	24
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0
长度	31.877 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	24
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	12.5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.12 A
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

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5962-8873403LA相似产品对比

	5962-8873403LA	5962-8868002LA	5962-8868003LA	5962-8868001LA	5962-8868004LA
描述	OTP ROM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	UVPROM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24	UVPROM, 2KX8, 30ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24	UVPROM, 2KX8, 50ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24	UVPROM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	CERAMIC, DIP-24	WDIP,	WDIP,	WDIP,	WDIP,
针数	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	not_compliant	unknow	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	35 ns	35 ns	30 ns	50 ns	25 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	31.877 mm	31.877 mm	31.877 mm	31.877 mm	31.877 mm
内存密度	16384 bit	16384 bi	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM	UVPROM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	WDIP	WDIP	WDIP	WDIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
其他特性	-	POWER SWITCHED PROM	POWER SWITCHED PROM	POWER SWITCHED PROM	POWER SWITCHED PROM
Base Number Matches	-	1	1	1	1

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