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K5P5781FCM-F055

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, CMOS, PBGA69
产品类别存储    存储   
文件大小547KB,共37页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K5P5781FCM-F055概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, CMOS, PBGA69

K5P5781FCM-F055规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明FBGA, BGA69,10X10,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B69
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+SRAM
端子数量69
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA69,10X10,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源2.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.028 mA
标称供电电压 (Vsup)2.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
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