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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MB641BT08TADG60
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MB641BT08TADG60

产品描述EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小498KB，共32页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MB641BT08TADG60概述

EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIMM-168

MB641BT08TADG60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明DIMM-168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度32
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

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MOTOROLA
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by 5VEDOU64D/D
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
1, 2, 4M x 64
DRAM Dual-In-Line
Memory Module (DIMM)
8, 16, and 32 Megabyte
•
•
•
•
•
•
•
•
JEDEC–Standard 168–Lead Dual–In–Line Memory Module (DIMM)
Single 5 V Power Supply, TTL–Compatible Inputs and Outputs
Extended Data Out (EDO)
RAS–Only Refresh, CAS Before RAS Refresh, Hidden Refresh
8MB/16MB: 1024 Cycle Refresh: 16 ms (Max)
32MB: 2048 Cycle Refresh: 32 ms (Max)
Keys Prevent Accidental Insertion into 3.3 V Systems
Serial Presence Detect (SPD) Provides Module Configuration
Information
5 V, EDO, Unbuffered
1M x 64 (8MB), 2M x 64 (16MB)
168–LEAD DIMM
CASE 1115A–01
BACK
85
94
95
1
10
11
FRONT
PART NUMBERS
(See Page 31 of Data Sheet for Definitions)
Organization
1M x 64
2M x 64
4M x 64
60
MB641BT08TADG60
MB642BT08TADG60
MB644CT00TADG60
70
MB641BT08TADG70
MB642BT08TADG70
MB644CT00TADG70
124
125
40
41
KEY TIMING PARAMETERS
Speed
60
70
tRC (ns)
104
124
tRAC (ns)
60
70
tCAC (ns)
17
20
tAA (ns)
30
35
tEPC (ns)
25
30
168
84
BACK NOT POPULATED ON 1M X 64 (8MB)
ADDITIONAL PARAMETERS
Active Power
Dissipation
(mW) (Max)
4,070
3,410
4,114
3,454
9,680
8,360
176
88
88
44
Standby Power
Dissipation (mW) (Max)
TTL
44
CMOS
22
BACK
4M x 64 (32MB)
168–LEAD DIMM
CASE 1115–01
FRONT
85
94
95
1
10
11
Configuration
C fi
i
8MB
Speed
S
d
60
70
16MB
60
70
32MB
60
70
124
125
40
41
168
84
11/5/96
©
Motorola, Inc. 1996
MOTOROLA DRAM
5VEDOU64D
1

MB641BT08TADG60相似产品对比

MB641BT08TADG60 MB641BT08TADG70
描述 EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, MOS, DIMM-168
包装说明 DIMM-168 DIMM-168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 70 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度 32 32
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX64 1MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL

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