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HY5W6B6DLF-PE

产品描述4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
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文件大小322KB,共27页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5W6B6DLF-PE概述

4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

HY5W6B6DLF-PE规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数54
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度8 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

HY5W6B6DLF-PE相似产品对比

HY5W6B6DLF-PE HY5W6B6DLF-HE HY5W6B6DLFP-PE HY5W6B6DLFP-HE
描述 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM 4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA, TFBGA, TFBGA,
针数 54 54 54 54
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 7 ns 5.4 ns 7 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54 S-PBGA-B54
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1
长度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
内存密度 67108864 bi 67108864 bi 67108864 bi 67108864 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm

 
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