HY5W6B6DLFP-PE,HY5W6B6DLFP-PE pdf中文资料,HY5W6B6DLFP-PE引脚图,HY5W6B6DLFP-PE电路-Datasheet-电子工程世界

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HY5W6B6DLFP-PE: 产品描述4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM; 产品类别存储存储; 文件大小322KB，共27页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY5W6B6DLFP-PE概述

4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM

HY5W6B6DLFP-PE规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	54
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B54
JESD-609代码	e1
长度	8 mm
内存密度	67108864 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

HY5W6B6DLFP-PE相似产品对比

	HY5W6B6DLFP-PE	HY5W6B6DLF-HE	HY5W6B6DLF-PE	HY5W6B6DLFP-HE
描述	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM	4Banks x1M x 16bits Synchronous DRAM
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,	TFBGA,
针数	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	7 ns	5.4 ns	7 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1
长度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
内存密度	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi	67108864 bi
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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