HY5PS2G431AMP-E3概述

2Gb DDR2 SDRAM(DDP)

HY5PS2G431AMP-E3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA71,9X19,32
针数	71
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B71
JESD-609代码	e1
长度	17.5 mm
内存密度	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	71
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	512MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA71,9X19,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.35 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.016 A
最大压摆率	0.268 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	11 mm

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HY5PS2G431AMP

HY5PS2G831AMP

2Gb DDR2 SDRAM(DDP)

HY5PS2G431AMP

HY5PS2G831AMP

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

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Rev. 0.6 / Oct. 2007

HY5PS2G431AMP-E3相似产品对比

	HY5PS2G431AMP-E3	HY5PS2G431AMP-C4	HY5PS2G431AMP-Y5	HY5PS2G831AMP	HY5PS2G431AMP	HY5PS2G831AMP-C4	HY5PS2G831AMP-E3	HY5PS2G831AMP-Y5
描述	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)	2Gb DDR2 SDRAM(DDP)
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-	-	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	-	-	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	-	-	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32
针数	71	71	71	-	-	71	71	71
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	-	-	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.5 ns	0.45 ns	-	-	0.5 ns	0.6 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	267 MHz	333 MHz	-	-	267 MHz	200 MHz	333 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	-	-	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71
JESD-609代码	e1	e1	e1	-	-	e1	e1	e1
长度	17.5 mm	17.5 mm	17.5 mm	-	-	17.5 mm	17.5 mm	17.5 mm
内存密度	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi	-	-	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	4	4	-	-	8	8	8
功能数量	1	1	1	-	-	1	1	1
端口数量	1	1	1	-	-	1	1	1
端子数量	71	71	71	-	-	71	71	71
字数	536870912 words	536870912 words	536870912 words	-	-	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	512000000	512000000	512000000	-	-	256000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	-	-	95 °C	95 °C	95 °C
组织	512MX4	512MX4	512MX4	-	-	256MX8	256MX8	256MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	-	-	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	-	-	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	-	-	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	-	-	260	260	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	-	-	8192	8192	8192
座面最大高度	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	-	-	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm
自我刷新	YES	YES	YES	-	-	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	-	-	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.016 A	0.016 A	0.02 A	-	-	0.016 A	0.016 A	0.02 A
最大压摆率	0.268 mA	0.303 mA	0.32 mA	-	-	0.303 mA	0.268 mA	0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-	-	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	-	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	-	-	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	-	-	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	-	-	20	20	20
宽度	11 mm	11 mm	11 mm	-	-	11 mm	11 mm	11 mm

HY5PS2G431AMP-E3

HY5PS2G431AMP-E3概述

HY5PS2G431AMP-E3规格参数

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