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BUZ50B

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小128KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ50B概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

BUZ50B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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