128M(4Mx32) GDDR SDRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数 | 100 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.7 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
| 长度 | 20 mm |
| 内存密度 | 134217728 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 100 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.02 A |
| 最大压摆率 | 0.37 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 14 mm |
| HY5DU283222AQP-5 | HY5DU283222AQP | HY5DU283222AQP-33 | HY5DU283222AQP-36 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) | - | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) |
| 零件包装代码 | QFP | - | QFP | QFP |
| 包装说明 | LQFP, QFP100,.63X.87 | - | LQFP, QFP100,.63X.87 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数 | 100 | - | 100 | 100 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.7 ns | - | 0.7 ns | 0.7 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | - | 300 MHz | 275 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 | - | R-PQFP-G100 | R-PQFP-G100 |
| 长度 | 20 mm | - | 20 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 134217728 bi | - | 134217728 bi | 134217728 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 | - | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 100 | - | 100 | 100 |
| 字数 | 4194304 words | - | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | - | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX32 | - | 4MX32 | 4MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP | - | LQFP | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP100,.63X.87 | - | QFP100,.63X.87 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE | - | FLATPACK, LOW PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 | 260 |
| 电源 | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | - | 4096 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.6 mm | - | 1.6 mm | 1.6 mm |
| 自我刷新 | YES | - | YES | YES |
| 连续突发长度 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 |
| 最大待机电流 | 0.02 A | - | 0.03 A | 0.03 A |
| 最大压摆率 | 0.37 mA | - | 0.45 mA | 0.45 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.625 V | - | 2.625 V | 2.625 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.375 V | - | 2.375 V | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | - | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | QUAD | - | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | - | 20 | 20 |
| 宽度 | 14 mm | - | 14 mm | 14 mm |
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