HY5DU283222AQP-33概述

128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222AQP-33规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
长度	20 mm
内存密度	134217728 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	100
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.6 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.03 A
最大压摆率	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

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HY5DU283222AQP

128M(4Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU283222AQP

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sponsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Jan. 2005

HY5DU283222AQP-33相似产品对比

	HY5DU283222AQP-33	HY5DU283222AQP	HY5DU283222AQP-5	HY5DU283222AQP-36
描述	128M(4Mx32) GDDR SDRAM	128M(4Mx32) GDDR SDRAM	128M(4Mx32) GDDR SDRAM	128M(4Mx32) GDDR SDRAM
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	QFP	-	QFP	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	-	LQFP, QFP100,.63X.87	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100	-	100	100
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	-	0.7 ns	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz	-	200 MHz	275 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	-	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	20 mm	-	20 mm	20 mm
内存密度	134217728 bi	-	134217728 bi	134217728 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	-	32	32
功能数量	1	-	1	1
端口数量	1	-	1	1
端子数量	100	-	100	100
字数	4194304 words	-	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	-	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	4MX32	-	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	-	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	-	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	-	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	260
电源	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	-	4096	4096
座面最大高度	1.6 mm	-	1.6 mm	1.6 mm
自我刷新	YES	-	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.03 A	-	0.02 A	0.03 A
最大压摆率	0.45 mA	-	0.37 mA	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	-	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	-	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	-	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	-	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20	20
宽度	14 mm	-	14 mm	14 mm

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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