Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU12822DFP-H

文档预览

HY5DU12822DFP-H: 产品描述512Mb DDR SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小461KB，共29页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY5DU12822DFP-H概述

512Mb DDR SDRAM

HY5DU12822DFP-H规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数	60
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.01 A
最大压摆率	0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

512Mb DDR SDRAM

HY5DU12822DF(P)

HY5DU121622DF(P)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / May 2007

HY5DU12822DFP-H相似产品对比

	HY5DU12822DFP-H	HY5DU121622DFP-D43	HY5DU121622DFP-J	HY5DU121622DFP-H	HY5DU121622DFP-K	HY5DU12822DF-H	HY5DU12822DF-D43	HY5DU12822DFP-D43	HY5DU12822DFP-J	HY5DU12822DFP-K
描述	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
Reach Compliance Code	compli	unknow	unknow	unknow	unknow	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	200 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	200 MHz	200 MHz	166 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	16	16	16	16	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
字数	67108864 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	32000000	32000000	32000000	32000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX8	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	64MX8	64MX8	64MX8	64MX8	64MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260
电源	2.5 V	2.6 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最大压摆率	0.34 mA	0.36 mA	0.35 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.35 mA	0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	20
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
是否无铅	不含铅	-	-	-	-	含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	-	-	e1	e1	e1
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

推荐资源

【干货三剑客】A2B技术&AD9361之FM调频广播&电力方案齐发: 剑客一：A2B精品视频——涵盖解决方案、技术资料...助您彻底了解A2B技术！{:1_113:} 奋战在汽车音频设计一线的攻城狮们，还在为汽车音频设计成本而苦恼？！还在为汽车音频性能不达标而暴走？！ ......; EEWORLD社区 ADI 工业技术

BeagleBone Black设计: ZigBee模块通讯测试，活动倒数第二帖: 本帖最后由 anananjjj 于 2014-6-25 13:40 编辑眼看着活动的期限就到了！我感觉我能在结束前将我设想的基本功能实现，今天将BBB扩展版的串口1调通，并将其用于了ZigBee模块通讯上，Qt上位机 ......; anananjjj DSP 与 ARM 处理器

vxwork下手机开发，大家推荐好书好方法: c有点基础~~ windows下编程也过得去~~ 刚刚进入vxwork，老大们推荐点好书，不光是vxwork,实时系统，大家觉得有用的多推荐~~...; liaozc 嵌入式系统

Allegro光绘问题: allegro在光绘文件add新的底片的时候会包含进所有的class，如何设置让新添加的底片和原有的底片里包含的class相同 ...; elivis PCB设计

转一遍感触很深的文章“程师之路”希望能引起大家的共鸣: 来源：百度文库贡献者：ssf621 程师之路恭喜，你选择开发工程师做为自已的职业悲哀，你选择开发工程师做为自已的职业　　本文所指的开发工程师，仅指程序开发人员和以数字电路开发为主的电 ......; tangguanglun 聊聊、笑笑、闹闹

一种新型高压大功率小信号放大电路: 摘要：简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点，工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过实验验证了其可行性。关键词：小信号放大器；双脉宽调制；悬浮驱 ......; zbz0529 电源技术

瑞芯微EASY EAI RV1126B Wi-Fi AP通信

WIFI AP（Access Point）模式的核心意义在于将设备（例如开发板）转变为无线接入点，从而实现多台无线设备的集中接入与网络互通。对于EASY-E系列开发板，该模式能够不依赖路由器，直接为手机、PC、平板等终端提供无线组网能力，支持设备间的数据共享、远程调试和协同工作等功能，尤其适用于无路由器环境下的临时组网或设备的无线管理需求。 2. WIFI AP模式配置 2.1 启用wlan...[详细]
机器人“智脑”将觉醒！上海提出“具身智能中国方案”

机器人“有身无脑”？ 32年前，一位智者写下“灵境”二字，预言人机融合的未来。这位智者就是“中国航天之父”钱学森，他将其定义为“人—机—环境系统工程”的最高形态，是继计算机技术革命之后的又一项技术革命，必将是人类历史中的大事。 32年后，政府工作报告首次提出“打造智能经济新形态”，将人工智能从“会聊天”推向“会办事”的新阶段。具身智能是人工智能深入物理...[详细]
泰瑞达推出Omnyx：重新定义AI时代的电路板测试

2026年4月2日，中国北京讯 —— 全球领先的自动测试设备和先进机器人供应商泰瑞达近日推出突破性测试平台Omnyx，该平台专为印刷电路板组装（PCBA）和子组件打造，能够满足AI和数据中心类产品的独特测试需求。泰瑞达Omnyx将结构、参数、高速互连和功能测试集成于单一平台，树立行业全新标准，有效解决关键制造挑战，助力减少缺陷漏检，并提升最终组装产品质量。下一代AI和数据中心产品对传统...[详细]
恩智浦通过第三代汽车收发机推进成像雷达技术

恩智浦半导体推出第三代车载雷达收发器，专为高级驾驶辅助系统与自动驾驶平台提供更高分辨率的感知能力。这款 TEF8388 芯片采用 RFCMOS 工艺，在单芯片内集成多组发射与接收通道，体现了软件定义汽车对更强感知系统的持续升级趋势。此次发布展现了行业在雷达性能、系统成本、功耗与可扩展性之间的持续平衡探索，也凸显了半导体集成度将如何影响未来全车系的传感器设计。更高集成度，打...[详细]
汽车电子趋势：GaN进入快速导入阶段

在过去几年，汽车功率半导体的话题几乎被SiC占据。但从2025年前后开始，GaN在汽车领域的推进明显提速，尤其集中在电源侧。根据英飞凌的《Automotive CoolGaN enabling highly efficient & affordable e-mobility》的内容，我们来解析一下。如果按照应用进展划分，汽车GaN可以分成三个阶段： ◎ 2019-2024...[详细]
英飞凌针对 800 VDC 架构AI数据中心推出基于CoolGaN™的高压 IBC 参考设计

【2026年3月31日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采用英飞凌的650 V CoolGaN™开关，专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服务提供商、电源架构提供商与服务器OEM厂...[详细]
汽车智能化下半场：竞争正在回归材料底层

随着AI的风刮到各行各业，2026 年的汽车行业也不一样了。过去十年，全球的汽车行业的聚焦点在于“动力切换”，是内燃机和电池的竞争；而今天，汽车到了增加大脑的阶段，变革的核心都压在了“智能系统”上。但当算法卷到极致、算力堆到封顶时，工程师们猛然发现，阻碍智能进化的物理瓶颈，竟然回到了最基础的环节：材料物理。 3月23日，陶氏公司在上海陶氏中心揭幕热管理材料科学实验室汽车智能化平台...[详细]
赋能AI，智造未来：爱发科电子半导体技术研讨会暨SEMICON China 2026出展圆满举行

在半导体行业盛会SEMICON China 2026盛大举办之际，全球知名的真空技术综合解决方案提供商— 爱发科集团，以“解锁无限可能——真空技术驱动的创新未来”为主题重磅出展，并受邀出席同期中国显示大会论坛。在论坛上，爱发科中国市场总监王禹发表演讲，分享了针对AI+AR市场爆发式增长，爱发科在新型显示领域打造的全链路解决方案。赋能AI，智造未来：ULVAC电子半导体技术研讨会 ...[详细]
新品！从MINI到工业板：米尔T153开发板工业场景全覆盖

今年1月，米尔发布MYD-YT153MX-MINI开发板，该产品精准切入国产核心板在中端市场领域，具有极致性价比，自上市即获得良好的市场反响。为方便开发者灵活选择、适配更专业的场景，米尔电子正式推出基于同款全志T153四核异构工业处理器的MYD-YT153MX工业开发板，两款开发板形成完整组合，下面来详细介绍工业开发板的不同之处。工业开发板——为严苛场景而生工业开发板：定位工业应用...[详细]
抛弃插头！现在就实现电动汽车无线充电！

想象一下，电动汽车充电体验就像停车一样无缝、直观，只需 “停车、充电、出发”。对于最终用户来说，这种体验的吸引力是显而易见的：不再需要沉重的电缆；不用再捣鼓连接器；无需接触可能脏污或损坏的充电设备。在电动汽车车主的设想中，将车开进自家车库、指定停车位或公共充电站，无需离开驾驶座就能轻松地为汽车充电。这种便利性使日常充电更加人性化，并通过完全移除物理连接器提高了...[详细]
边缘计算主机盒选购指南：五大核心指标解析

随着数字化转型的深入推进，边缘计算主机盒凭借其低延迟、高安全性及本地数据处理能力，已成为企业智能化升级的关键设备。然而，面对市场上繁杂的产品选择，如何有效规避“算力虚标”与“兼容性差”等常见陷阱？本文基于行业案例与技术趋势，系统梳理了五大选型关键指标，以助力精准匹配实际需求。一、算力匹配：拒绝“唯算力论”，场景适配是关键核心逻辑：算力并非越高越好，过度配置会导致成本浪费，算力不足则影...[详细]
是德科技扩展1.6T互连验证技术，新增无源铜缆和低功耗光模块验证支持

增强的测试能力有助于提升可靠性并降低风险，助力在AI和高性能计算网络中部署要求最严苛的关键路径互连是德科技近日推出新一代1.6T以太网互连误码与性能验证产品组合，扩展并增强了其对最具挑战性的1.6T无源铜缆直连线（DAC）、有源铜缆（ACC）、低功耗光模块及线性接收光模块（LRO）的认证能力。这类互连技术对于人工智能和高性能计算应用中网络的Scale-out与Scale-up部署至关重要。...[详细]
Arm AGI CPU 更多细节：台积电 3nm 制程、Neoverse V3 微架构

3 月 25 日消息，Arm 当地时间昨日在 Arm Everywhere 上宣布推出其首款量产芯片产品 —— AGI CPU 处理器，相关宣传资料中提供了有关其规格的详细信息。 Arm AGI CPU 由两个相同的硅片组成，采用台积电 3nm 先进制程和标准封装，拥有 136 个基于 Neoverse V3 微架构的内核，频率可达 3.7GHz，每核配备 2MB L2 缓存，拥有 300W...[详细]
Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级半屏蔽功率电感

全新 SRN3010BTA-330M 型号具备高感值，可优化电路性能，并采用底部焊接引线设计以提升可靠性。 2026年3月24日 – Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日宣布新增一款高感值型号至其 SRN3010BTA半屏蔽功率电感系列。全新 SRN3010BTA-330M 型号具备 33 微亨 (µH) 的感值，可实现高效电流处理能力。其底部焊接引线...[详细]
人形机器人行业开启人才争夺战

2025年以来，人形机器人赛道热度持续攀升，产业竞争正从单纯的技术比拼，悄然转向更深层次的人才争夺。“非常缺人。” 宇树科技创始人王兴兴的这句感叹，道出了行业的普遍焦虑。当资本与政策双重驱动产业从实验室迈向商业化规模应用的关键转折点时，人才的结构性缺口，已成为决定企业能否突出重围的胜负手。供需两旺，算法与硬件人才需求井喷近日，MIR DATABANK收录了智联招...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看