Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU121622DFP-D43

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HY5DU121622DFP-D43: 产品描述512Mb DDR SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小461KB，共29页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY5DU121622DFP-D43概述

512Mb DDR SDRAM

HY5DU121622DFP-D43规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数	60
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.6 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.01 A
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10 mm

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512Mb DDR SDRAM

HY5DU12822DF(P)

HY5DU121622DF(P)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.0 / May 2007

HY5DU121622DFP-D43相似产品对比

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描述	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.7 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	200 MHz	200 MHz	133 MHz	166 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
长度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	60	60	60	60	60	60	60	60
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	64MX8	64MX8	64MX8	64MX8	64MX8	64MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	260
电源	2.6 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	2.6 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最大压摆率	0.36 mA	0.35 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.34 mA	0.35 mA	0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20	20	20	20
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	-	-	e1	e1	e1	e1
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
是否无铅	-	-	-	-	含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅

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