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HM62W8201HTT-12

产品描述2MX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
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文件大小96KB,共16页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM62W8201HTT-12概述

2MX8 CACHE SRAM, 12ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

HM62W8201HTT-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量44
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM62W8201H Series
16M High Speed SRAM (2-Mword
×
8-bit)
ADE-203-955A (Z)
Preliminary
Rev. 0.1
May. 28, 1999
Description
The HM62W8201H Series is an asynchronous high speed static RAM organized as 2-Mword
×
8-bit. It has
realized high speed access time by employing the most advanced CMOS process and high speed circuit
designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high density
memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It has the package
variations of standard 44-pin plastic TSOPII and 36-pin plastic SOJ.
Features
Single 3.3 V supply: 3.3 V ± 0.3 V
Access time: 10 ns/12 ns/15 ns (max)
Completely static memory
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
Operating current: 180 mA/160 mA/140 mA (max)
TTL standby current: 70 mA/60 mA/50 mA (max)
CMOS standby current: 20 mA (max)
Center V
CC
and V
SS
type pinout
Preliminary: The specifications of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specifications.
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