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GS8321E18GE-225IVT

产品描述Cache SRAM, 2MX18, 6ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共31页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准  
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GS8321E18GE-225IVT概述

Cache SRAM, 2MX18, 6ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

GS8321E18GE-225IVT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6 ns
其他特性PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
【玩转LaunchPad】基本输入输出——IO操作
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