电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5818

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小39KB,共2页
制造商CTC [Compact Technology Corp.]
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5818在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N5818 - - 点击查看 点击购买

1N5818概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL

1 A, 30 V, 硅, 信号二极管, DO-204AL

1N5818规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料, DO-41, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压30 V
最大平均正向电流1 A

文档预览

下载PDF文档
Compact Technology
1N5817 thru 1N5819
REVERSE VOLTAGE -
20
to
40
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
wheeling,and polarity protection applications
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
DO-41
Dim.
A
B
C
Min.
25.4
4.20
0.70
Max.
-
5.20
0.90
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
@T
A
=
90 C
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Bl ocking Voltage
SYMBOL
1N5817
20
14
20
1N5818
30
21
30
1.0
25
1N5819
40
28
40
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
V
F
I
R
C
J
R
0JA
A
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
10
110
50
-55 to +125
-55 to +150
0.600
0.900
V
V
mA
mA
pF
C/W
@T
A
=25 C
@T
A
=100 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
T
STG
C
C
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
CTC0072
Ver.
2.0
1 of 2
1N5817 thru 1N5819

1N5818相似产品对比

1N5818 1N5817 1N5819
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
状态 TRANSFERRED CONSULT MFR DISCONTINUED
二极管类型 信号二极管 整流二极管 信号二极管
端子数量 2 - 1
元件数量 1 - 1
加工封装描述 塑料, DO-41, 2 PIN - DIE-2
包装形状 - SQUARE
包装尺寸 LONG FORM - UNCASED 芯片
端子形式 线 - NO 铅
端子位置 AXIAL - UPPER
包装材料 塑料/环氧树脂 - UNSPECIFIED
工艺 SCHOTTKY - SCHOTTKY
结构 单一的 - 单一的
壳体连接 隔离 - 隔离
二极管元件材料 -
最大重复峰值反向电压 30 V - 45 V
最大平均正向电流 1 A - 1 A

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2458  1097  2742  1793  1927  50  23  56  37  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved