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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小39KB,共2页
制造商CTC [Compact Technology Corp.]
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 45 V, 硅, 信号二极管

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

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Compact Technology
1N5817 thru 1N5819
REVERSE VOLTAGE -
20
to
40
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
wheeling,and polarity protection applications
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
DO-41
Dim.
A
B
C
Min.
25.4
4.20
0.70
Max.
-
5.20
0.90
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
@T
A
=
90 C
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Bl ocking Voltage
SYMBOL
1N5817
20
14
20
1N5818
30
21
30
1.0
25
1N5819
40
28
40
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
V
F
I
R
C
J
R
0JA
A
0.450
0.750
0.550
0.875
1.0
10
110
50
-55 to +125
-55 to +150
0.600
0.900
V
V
mA
mA
pF
C/W
@T
A
=25 C
@T
A
=100 C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
T
STG
C
C
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
CTC0072
Ver.
2.0
1 of 2
1N5817 thru 1N5819

1N5819相似产品对比

1N5819 1N5817 1N5818
描述 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,20V V(RRM),DO-41 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
状态 DISCONTINUED CONSULT MFR TRANSFERRED
二极管类型 信号二极管 整流二极管 信号二极管
端子数量 1 - 2
元件数量 1 - 1
加工封装描述 DIE-2 - 塑料, DO-41, 2 PIN
包装形状 SQUARE -
包装尺寸 UNCASED 芯片 - LONG FORM
端子形式 NO 铅 - 线
端子位置 UPPER - AXIAL
包装材料 UNSPECIFIED - 塑料/环氧树脂
工艺 SCHOTTKY - SCHOTTKY
结构 单一的 - 单一的
壳体连接 隔离 - 隔离
二极管元件材料 -
最大重复峰值反向电压 45 V - 30 V
最大平均正向电流 1 A - 1 A
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