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1N5399

产品描述1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小44KB,共2页
制造商CTC [Compact Technology Corp.]
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1N5399概述

1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

1.5 A, 1000 V, 硅, 整流二极管, DO-15

1N5399规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用GENERAL PURPOSE
相数1
反向恢复时间最大2 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1.5 A
最大非重复峰值正向电流50 A

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Compact Technology
1N5391 thru 1N5399
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.5
Amperes
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Low forward voltage drop
Low reverse leakage current
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
Dim.
A
B
Min.
25.4
4.20
0.70
2.00
DO-41
Max.
-
5.20
0.90
C
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N
5391
50
35
50
1N
5392
100
70
100
1N
5393
200
140
200
1N
5394
300
210
300
1N
5395
400
280
400
1.5
1N
5396
500
350
500
1N
1N
5397 5398
600
800
420
560
600
800
1N
UNIT
5399
V
1000
V
700
1000
V
A
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
.375"(9.5mm) Lead Lengths
@T
L
=
70 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 1.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction
Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV)
I
FSM
V
F
I
R
35
1.1
5.0
50
15
A
V
uA
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
C
J
R
0JL
50
-55 to +150
-55 to +150
T
J
T
STG
C
C
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Lead .
CTC0142
Ver.
2.0
1
of 2
1N5391 thru 1N5399

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1N5399 1N5391 1N5393 1N5391_1 1N5392 1N5394 1N5396 1N5395 1N5397 1N5398
描述 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL
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