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BR3502(W)

产品描述Bridge Rectifier Diode, 35A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BR3502(W)概述

Bridge Rectifier Diode, 35A, 200V V(RRM),

BR3502(W)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流35 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BR35005(W)- -
-
BR3510(W)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 35.0 A
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to
400
Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
Mounting: thru hole for # 8 screw
mounting
BR
-
W
METAL HEAT SINK
.452
(11.5)
MAX
.042(1.1)
.090(2.0)
PLASTIC
.480(12.2)
.425(10.8)
1.181(30.0)
1.102(28.0)
HOLE FOR
NO.8 SCREW
AC
.732(18.6)
.692(17.6)
-
+
.468(11.9)
.429(10.9)
AC
1.181(30.0)
1.102(28.0)
.732(18.6)
.692(17.6)
.033x 250
(0.8x 6.4)
inch (mm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BR
35005
(W)
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
BR
3501
(W)
100
70
100
BR
3502
(W)
200
140
200
BR
3504
(W)
400
280
400
35.0
BR
3506
(W)
600
420
600
BR
3508
(W)
800
560
800
BR
3510
(W)
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 17.5 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
400.0
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
1.0
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
V
μA
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
www.galaxycn.com
Document Number 0287052
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BR3502(W)相似产品对比

BR3502(W) BR3504(W) BR3506(W) BR3508(W) BR3501(W)
描述 Bridge Rectifier Diode, 35A, 200V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 400V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 600V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 100V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 35 A 35 A 35 A 35 A 35 A
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V 600 V 800 V 100 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
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