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IDT71419S9J

产品描述Cache SRAM, 32KX18, 9ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
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文件大小318KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71419S9J概述

Cache SRAM, 32KX18, 9ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT71419S9J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明PLASTIC, LCC-52
针数52
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间9 ns
其他特性BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE; ADDRESS REGISTER
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
长度19.1262 mm
内存密度589824 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量52
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流4.75 V
最大压摆率0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度19.1262 mm

IDT71419S9J相似产品对比

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描述 Cache SRAM, 32KX18, 9ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 32KX18, 12ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 32KX18, 12ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 32KX18, 9ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 32KX18, 10ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 Cache SRAM, 32KX18, 10ns, BICMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
零件包装代码 LCC LCC LCC LCC LCC LCC
包装说明 PLASTIC, LCC-52 PLASTIC, LCC-52 QCCJ, QCCJ, PLASTIC, LCC-52 QCCJ,
针数 52 52 52 52 52 52
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown unknown not_compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B EAR99 3A991.B.2.B
最长访问时间 9 ns 12 ns 12 ns 9 ns 10 ns 10 ns
其他特性 BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE; ADDRESS REGISTER BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE; ADDRESS REGISTER BURST COUNTER BURST COUNTER BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE; ADDRESS REGISTER BURST COUNTER
JESD-30 代码 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52 S-PQCC-J52
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm
内存密度 589824 bit 589824 bit 589824 bit 589824 bit 589824 bit 589824 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 52 52 52 52 52 52
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX18 32KX18 32KX18 32KX18 32KX18 32KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ QCCJ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD
端子形式 J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
宽度 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm 19.1262 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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