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SS115E

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小509KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SS115E概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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SS12E - SS115E
1.0 AMPS. Surface Mount Schottky Rectifiers
SMAE
Pb
Features
RoHS
COMPLIANCE
For surface mounted application
Esay pick and place
Low forward voltage drop
High current capability
High surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C / 10 seconds at terminals
Plastic material used carriers Underwriters
Laboratory Classification 94V-0
Green compound with suffix “G” on packing code &
prefix “G” on datecode.
Mechanical Data
Cases: SMAE Molded plastic
Terminals: Lead free Finish
Polarity: Indicated by cathode band.
Weight: 0.072 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
@T
L
(See Fig. 1)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-
wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
IF= 1.0A @Ta=25
o
C
Maximum DC Reverse Current
@ Ta=25
o
C
@ Ta=100
o
C
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
SS
12E
20
14
20
SS
13E
30
21
30
SS
14E
40
28
40
SS
15E
50
35
50
SS
16E
60
42
60
SS
SS
SS
19E 110E 115E
90 100 150
63
90
70
100
105
150
Units
V
V
V
A
A
1.0
30
0.60
0.70
0.5
20
110
84
28
-55 to +125
-55 to +150
30
O
0.85
V
I
R
Cj
JA
JL
T
J
T
STG
mA
pF
C/W
O
O
Typical Junction Capacitance(Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes: 1. Pulse Test with PW=300u sec, 1% Duty Cycle.
2. Mount on Cu-Pad Size 5mm x 5mm on P.C.B.
3. Measured at f=1.0MHz, VR= 4.0V D.C.
C
C
Version : A09

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