电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SS12E

产品描述1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小509KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
下载文档 选型对比 全文预览

SS12E概述

1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

文档预览

下载PDF文档
SS12E - SS115E
1.0 AMPS. Surface Mount Schottky Rectifiers
SMAE
Pb
Features
RoHS
COMPLIANCE
For surface mounted application
Esay pick and place
Low forward voltage drop
High current capability
High surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
260
o
C / 10 seconds at terminals
Plastic material used carriers Underwriters
Laboratory Classification 94V-0
Green compound with suffix “G” on packing code &
prefix “G” on datecode.
Mechanical Data
Cases: SMAE Molded plastic
Terminals: Lead free Finish
Polarity: Indicated by cathode band.
Weight: 0.072 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
@T
L
(See Fig. 1)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-
wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
IF= 1.0A @Ta=25
o
C
Maximum DC Reverse Current
@ Ta=25
o
C
@ Ta=100
o
C
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
SS
12E
20
14
20
SS
13E
30
21
30
SS
14E
40
28
40
SS
15E
50
35
50
SS
16E
60
42
60
SS
SS
SS
19E 110E 115E
90 100 150
63
90
70
100
105
150
Units
V
V
V
A
A
1.0
30
0.60
0.70
0.5
20
110
84
28
-55 to +125
-55 to +150
30
O
0.85
V
I
R
Cj
JA
JL
T
J
T
STG
mA
pF
C/W
O
O
Typical Junction Capacitance(Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes: 1. Pulse Test with PW=300u sec, 1% Duty Cycle.
2. Mount on Cu-Pad Size 5mm x 5mm on P.C.B.
3. Measured at f=1.0MHz, VR= 4.0V D.C.
C
C
Version : A09

SS12E相似产品对比

SS12E SS110E SS13E SS115E SS15E SS16E SS19E
描述 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
新手如何学习写驱动程序
之前一直做硬件,现在想学习写软件,毕竟没有单做硬件的,准备先学习MSP430,但是不知道该如何下手。是拿着书本抄程序还是自己慢慢摸索?想试着编写ADC之类的驱动程序,但是也不知怎么开始。好 ......
单片机菜菜 51单片机
电源电路比较常用的三种电路保护器件
电路保护主要有两种形式:过压保护和过流保护。选择适当的电路保护器件是实现高效、可靠电路保护设计的关键,涉及到电路保护器件的选型,我们就必须要知道各电路保护器件的作用。在选择电 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
NAND flash和NOR flash在软件支持方面的差别
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢,它的I/O 端口只有8 个,比 NOR 要少多了。这区区 8 个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送,速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND ......
13691982107 消费电子
avr128 usart1问题
avr128 串口1的程序,晶振16M,主要功能是ADC采集的电压值变化就用串口将其输出,串口助手收不到预期结果#define F_CPU 16000000UL#include #include #define uchar unsigned char #defi ......
suonidaoke Microchip MCU
BIOS中断 INT13H 硬盘系统复位
INT 13,0 - Reset Disk System AH = 00 DL = drive number (0=A:, 1=2nd floppy, 80h=drive 0, 81h=drive 1) on return: AH = disk operation status (see INT 13,STATUS) ......
gufei 嵌入式系统
使宽频带合成器变得简单而又小巧
在无线通信、卫星设备、测试与测量和国防系统领域研究高性能、高频应用的设计工程师需要空间占用小、而又能够保持高水平性能的半导体芯片。http://www.deyisupport.com/resized-image.ashx/__si ......
maylove 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1618  767  2889  2244  3  54  37  57  55  33 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved