Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, DIE
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | DIE, |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 40 ns |
JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | UNCASED CHIP |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
总剂量 | 200k Rad(Si) V |
MM0-65609EV-405V | SMDJ-65609EV-405B | |
---|---|---|
描述 | Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, DIE | Standard SRAM, 128KX8, 40ns, CMOS, 0.400 INCH, DFP-32 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | DIE | DFP |
包装说明 | DIE, | DFP, FL32,.4 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 40 ns | 40 ns |
JESD-30 代码 | X-XUUC-N | R-XDFP-F32 |
内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
字数 | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
组织 | 128KX8 | 128KX8 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIE | DFP |
封装形状 | UNSPECIFIED | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | NO LEAD | FLAT |
端子位置 | UPPER | DUAL |
总剂量 | 200k Rad(Si) V | 200k Rad(Si) V |
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