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FD600R12KF4

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共5页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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FD600R12KF4概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

FD600R12KF4规格参数

参数名称属性值
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)600 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X10
元件数量1
端子数量10
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1050 ns
标称接通时间 (ton)700 ns
VCEsat-Max2.7 V
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