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M29R008B-120N6TR

产品描述1MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
产品类别存储    存储   
文件大小61KB,共2页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M29R008B-120N6TR概述

1MX8 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40

M29R008B-120N6TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明10 X 20 MM, TSOP-40
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G40
长度18.4 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度10 mm

 
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