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IDT7M1003S80CB

产品描述Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 80ns, CMOS
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文件大小278KB,共11页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M1003S80CB概述

Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 80ns, CMOS

IDT7M1003S80CB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间80 ns
其他特性SEMAPHORE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-T64
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量64
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP64,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.125 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.79 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT7M1003S80CB相似产品对比

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描述 Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 80ns, CMOS Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 65ns, CMOS Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 65ns, CMOS Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 80ns, CMOS Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C
最长访问时间 80 ns 65 ns 65 ns 80 ns 65 ns 65 ns
其他特性 SEMAPHORE SEMAPHORE SEMAPHORE SEMAPHORE SEMAPHORE SEMAPHORE
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-T64 R-XDMA-T64 R-XDMA-T64 R-XDMA-T64 R-XDMA-T64 R-XDMA-T64
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 524288 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 64 64 64 64 64 64
字数 65536 words 131072 words 131072 words 131072 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 128000 128000 128000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C - -55 °C
组织 64KX8 128KX8 128KX8 128KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP64,.6 DIP64,.6 DIP64,.6 DIP64,.6 DIP64,.6 DIP64,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.125 A 0.125 A 0.245 A 0.245 A 0.065 A 0.125 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.79 mA 0.94 mA 1.13 mA 1.13 mA 0.66 mA 0.79 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
筛选级别 MIL-STD-883 Class B (Modified) - MIL-STD-883 Class B (Modified) MIL-STD-883 Class B (Modified) - MIL-STD-883 Class B (Modified)
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