IDT7M1003S65C概述

Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS

IDT7M1003S65C规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	65 ns
其他特性	SEMAPHORE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-T64
JESD-609代码	e0
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	64
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP64,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.065 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.66 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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IDT7M1003S65C相似产品对比

	IDT7M1003S65C	IDT7M1001S65C	IDT7M1001S65CB	IDT7M1001S80CB	IDT7M1003S65CB	IDT7M1003S80CB
描述	Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS	Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 65ns, CMOS	Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 65ns, CMOS	Multi-Port SRAM Module, 128KX8, 80ns, CMOS	Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 65ns, CMOS	Multi-Port SRAM Module, 64KX8, 80ns, CMOS
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	65 ns	65 ns	65 ns	80 ns	65 ns	80 ns
其他特性	SEMAPHORE	SEMAPHORE	SEMAPHORE	SEMAPHORE	SEMAPHORE	SEMAPHORE
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-T64	R-XDMA-T64	R-XDMA-T64	R-XDMA-T64	R-XDMA-T64	R-XDMA-T64
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	524288 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	64	64	64	64	64	64
字数	65536 words	131072 words	131072 words	131072 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	128000	128000	128000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	64KX8	128KX8	128KX8	128KX8	64KX8	64KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP64,.6	DIP64,.6	DIP64,.6	DIP64,.6	DIP64,.6	DIP64,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.065 A	0.125 A	0.245 A	0.245 A	0.125 A	0.125 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.66 mA	0.94 mA	1.13 mA	1.13 mA	0.79 mA	0.79 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
筛选级别	-	-	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)	MIL-STD-883 Class B (Modified)

IDT7M1003S65C

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