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AS8FLC1M32BP-120/Q

产品描述Flash, 1MX32, 120ns, CPGA66, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
产品类别存储    存储   
文件大小373KB,共27页
制造商Micross
官网地址https://www.micross.com
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AS8FLC1M32BP-120/Q概述

Flash, 1MX32, 120ns, CPGA66, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

AS8FLC1M32BP-120/Q规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micross
零件包装代码PGA
包装说明HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间120 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
JESD-30 代码S-CPGA-P66
JESD-609代码e0
长度30.099 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
功能数量1
部门数/规模1,2,1,15
端子数量66
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1MX32
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码QFP68,.99SQ,50
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度6.223 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NOR TYPE
宽度30.099 mm

 
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