Operational Amplifier, 2 Func, 10000uV Offset-Max, CMOS, PDSO8, SSOP-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | New Japan Radio Co Ltd |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | LSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 标称共模抑制比 | 65 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 10000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 功率 | NO |
| 电源 | 3 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.45 mm |
| 标称压摆率 | 3.7 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA |
| 供电电压上限 | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 1000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 3.5 mm |
| NJU7018V | NJU7018M | NJU7018RB1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifier, 2 Func, 10000uV Offset-Max, CMOS, PDSO8, SSOP-8 | Operational Amplifier, 2 Func, 10000uV Offset-Max, CMOS, PDSO8, DMP-8 | Operational Amplifier, 2 Func, 10000uV Offset-Max, CMOS, PDSO8, TVSP-8 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | New Japan Radio Co Ltd | New Japan Radio Co Ltd | New Japan Radio Co Ltd |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | LSSOP, TSSOP8,.25 | SOP, SOP8,.3 | VSSOP, TSSOP8,.16 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 标称共模抑制比 | 65 dB | 65 dB | 65 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 10000 µV | 10000 µV | 10000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | S-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e6 | e6 | e6 |
| 长度 | 4.4 mm | 5 mm | 2.9 mm |
| 低-偏置 | YES | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO | NO |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSSOP | SOP | VSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 | SOP8,.3 | TSSOP8,.16 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 功率 | NO | NO | NO |
| 电源 | 3 V | 3 V | 3 V |
| 可编程功率 | NO | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.45 mm | 2 mm | 1 mm |
| 标称压摆率 | 3.7 V/us | 3.7 V/us | 3.7 V/us |
| 最大压摆率 | 3 mA | 3 mA | 3 mA |
| 供电电压上限 | 7 V | 7 V | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN BISMUTH | TIN BISMUTH | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 1.27 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz | 1000 kHz |
| 最小电压增益 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 宽带 | NO | NO | NO |
| 宽度 | 3.5 mm | 5 mm | 2.8 mm |
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