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BFT36AR1

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-205AD, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BFT36AR1概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-205AD, 3 PIN

BFT36AR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明TO-205AD, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

BFT36AR1相似产品对比

BFT36AR1
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-205AD, 3 PIN
是否Rohs认证 符合
厂商名称 TT Electronics plc
包装说明 TO-205AD, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A
集电极-发射极最大电压 80 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15
JEDEC-95代码 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e1
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 METAL
封装形状 ROUND
封装形式 CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 WIRE
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz

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