MT8HTF12864HDY-40E,MT8HTF12864HDY-40E pdf中文资料,MT8HTF12864HDY-40E引脚图,MT8HTF12864HDY-40E电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT8HTF12864HDY-40E

MT8HTF12864HDY-40E: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200; 产品类别存储存储; 文件大小400KB，共15页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT8HTF12864HDY-40E概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200

MT8HTF12864HDY-40E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM200,24
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200
内存密度	8589934592 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
端子数量	200
字数	134217728 words
字数代码	128000000
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
最大待机电流	0.04 A
最大压摆率	1.92 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL

MT8HTF12864HDY-40E相似产品对比

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描述	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, PDMA200,	Shielded IDC Flat Cable Connector	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200,	DDR DRAM Module, 32MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200	Right Angle Solder Termination Connectors	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.6ns, CMOS, PDMA200,	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200,
是否无铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	-	符合	符合	-	符合	符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology
Reach Compliance Code	unknown	compliant	-	compliant	unknown	-	compliant	compliant
最长访问时间	0.6 ns	0.45 ns	-	0.6 ns	0.5 ns	-	0.6 ns	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	333 MHz	-	200 MHz	267 MHz	-	200 MHz	267 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	-	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200	-	R-PDMA-N200	R-PDMA-N200
内存密度	8589934592 bit	4294967296 bit	-	2147483648 bit	2147483648 bit	-	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	-	64	64	-	64	64
端子数量	200	200	-	200	200	-	200	200
字数	134217728 words	67108864 words	-	33554432 words	33554432 words	-	67108864 words	67108864 words
字数代码	128000000	64000000	-	32000000	32000000	-	64000000	64000000
最高工作温度	65 °C	65 °C	-	65 °C	65 °C	-	65 °C	65 °C
组织	128MX64	64MX64	-	32MX64	32MX64	-	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	DIMM200,24	-	DIMM200,24	DIMM200,24	-	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	-	8192	8192	-	8192	8192
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	-	0.04 A	0.04 A	-	0.04 A	0.04 A
最大压摆率	1.92 mA	1.76 mA	-	1.32 mA	1.36 mA	-	1.6 mA	1.68 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	-	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	-	0.6 mm	0.6 mm	-	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL

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