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MT4LC4M4B1DJ-6

产品描述Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
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文件大小460KB,共20页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT4LC4M4B1DJ-6概述

Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

MT4LC4M4B1DJ-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码SOJ
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
针数24
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
长度17.17 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.61 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度7.67 mm

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4 MEG x 4
FPM DRAM
DRAM
FEATURES
• Industry-standard x4 pinout, timing, functions,
and packages
• High-performance, low-power CMOS silicon-gate
process
• Single power supply (+3.3V ±0.3V or +5V ±0.5V)
• All inputs, outputs and clocks are TTL-compatible
• Refresh modes: RAS#-ONLY, HIDDEN and CAS#-
BEFORE-RAS# (CBR)
• Optional self refresh (S) for low-power data
retention
• 11 row, 11 column addresses (2K refresh) or
12 row, 10 column addresses (4K refresh)
• FAST-PAGE-MODE (FPM) access
• 5V tolerant inputs and I/Os on 3.3V devices
MT4LC4M4B1, MT4C4M4B1
MT4LC4M4A1, MT4C4M4A1
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web
site:
www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html
PIN ASSIGNMENT (Top View)
24/26-Pin SOJ
V
CC
DQ0
DQ1
WE#
RAS#
**NC/A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
24/26-Pin TSOP
V
CC
V
SS
DQ0
DQ3
DQ1
DQ2
WE#
CAS#
RAS#
OE#
**NC/A11
A9
A10
A0
A8
A1
A7
A2
A6
A3
A5
V
CC
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
V
SS
DQ3
DQ2
CAS#
OE#
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
OPTIONS
• Voltage
3.3V
5V
• Refresh Addressing
2,048 (2K) rows
4,096 (4K) rows
• Packages
Plastic SOJ (300 mil)
Plastic TSOP (300 mil)
• Timing
50ns access
60ns access
• Refresh Rates
Standard Refresh
Self Refresh (128ms period)
MARKING
LC
C
B1
A1
DJ
TG
-5
-6
None
S*
**NC on 2K refresh and A11 on 4K refresh options.
4 MEG x 4 FPM DRAM PART NUMBERS
PART NUMBER
MT4LC4M4B1DJ-6
MT4LC4M4B1DJ-6 S
MT4LC4M4B1TG-6
MT4LC4M4B1TG-6 S
MT4LC4M4A1DJ-6
MT4LC4M4A1DJ-6 S
MT4LC4M4A1TG-6
MT4C4M4A1TG-6 S
MT4C4M4B1DJ-6
MT4C4M4B1DJ-6 S
MT4C4M4B1TG-6
MT4C4M4B1TG-6 S
MT4C4M4A1DJ-6
MT4C4M4A1DJ-6 S
MT4C4M4A1TG-6
MT4C4M4A1TG-6 S
V
CC
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
REFRESH
ADDRESSING PACKAGE REFRESH
2K
2K
2K
2K
4K
4K
4K
4K
2K
2K
2K
2K
4K
4K
4K
4K
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
NOTE:
1. The 4 Meg x 4 FPM DRAM base number differenti-
ates the offerings in one place—MT4LC4M4B1. The
fifth field distinguishes various options: B1
designates a 2K refresh and A1 designates a 4K
refresh for FPM DRAMs.
2. The # symbol indicates signal is active LOW.
*Contact factory for availability
Part Number Example:
MT4LC4M4B1DJ
KEY TIMING PARAMETERS
SPEED
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
84ns
110ns
50ns
60ns
20ns
35ns
25ns
30ns
13ns
15ns
30ns
40ns
4 Meg x 4 FPM DRAM
D49_5V.p65 – Rev. 5/00
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2000, Micron Technology, Inc.

MT4LC4M4B1DJ-6相似产品对比

MT4LC4M4B1DJ-6 MT4C4M4B1TG-6S MT4LC4M4A1TG-6 5611 MT4C4M4A1DJ-6 MT4C4M4A1DJ-6S MT4C4M4A1TG-6S MT4C4M4A1TG-6
描述 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 Precision Potentiometer Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 SOJ TSOP TSOP - SOJ SOJ TSOP TSOP
包装说明 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 - 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
针数 24 26/24 26/24 - 24 24 26/24 26/24
Reach Compliance Code unknown not_compliant unknown - unknown unknown not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE - FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns - 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24 - R-PDSO-J24 R-PDSO-J24 R-PDSO-G24 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 e0 e0 e0
长度 17.17 mm 17.14 mm 17.14 mm - 17.17 mm 17.17 mm 17.14 mm 17.14 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit - 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM - FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 4 4 4 - 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 - 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 - 1 1 1 1
端子数量 24 24 24 - 24 24 24 24
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words - 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 - 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4 4MX4 - 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP2 TSOP2 - SOJ SOJ TSOP2 TSOP2
封装等效代码 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36 - SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34 TSOP24/26,.36 TSOP24/26,.36
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 235 235 235 - 235 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 235
电源 3.3 V 5 V 3.3 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 4096 - 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 3.61 mm 1.2 mm 1.2 mm - 3.61 mm 3.61 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 NO YES NO - NO YES YES NO
最大待机电流 0.0005 A 0.00015 A 0.0005 A - 0.0005 A 0.00015 A 0.00015 A 0.0005 A
最大压摆率 0.1 mA 0.13 mA 0.09 mA - 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 5.5 V 3.6 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 4.5 V 3 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 5 V 3.3 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES - YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING GULL WING - J BEND J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 - 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30
宽度 7.67 mm 7.62 mm 7.62 mm - 7.67 mm 7.67 mm 7.62 mm 7.62 mm
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