Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT4LC4M4A1TG-6

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MT4LC4M4A1TG-6: 产品描述Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24; 产品类别存储存储; 文件大小460KB，共20页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT4LC4M4A1TG-6概述

Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24

MT4LC4M4A1TG-6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	TSOP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
针数	26/24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G24
JESD-609代码	e0
长度	17.14 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP24/26,.36
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	235
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.62 mm

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4 MEG x 4

FPM DRAM

DRAM

FEATURES

• Industry-standard x4 pinout, timing, functions,

and packages

• High-performance, low-power CMOS silicon-gate

process

• Single power supply (+3.3V ±0.3V or +5V ±0.5V)

• All inputs, outputs and clocks are TTL-compatible

• Refresh modes: RAS#-ONLY, HIDDEN and CAS#-

BEFORE-RAS# (CBR)

• Optional self refresh (S) for low-power data

retention

• 11 row, 11 column addresses (2K refresh) or

12 row, 10 column addresses (4K refresh)

• FAST-PAGE-MODE (FPM) access

• 5V tolerant inputs and I/Os on 3.3V devices

MT4LC4M4B1, MT4C4M4B1

MT4LC4M4A1, MT4C4M4A1

For the latest data sheet, please refer to the Micron Web

site:

www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html

PIN ASSIGNMENT (Top View)

24/26-Pin SOJ

DQ0

DQ1

WE#

RAS#

**NC/A11

A10

24/26-Pin TSOP

DQ0

DQ3

DQ1

DQ2

WE#

CAS#

RAS#

OE#

**NC/A11

A10

DQ3

DQ2

CAS#

OE#

OPTIONS

• Voltage

3.3V

• Refresh Addressing

2,048 (2K) rows

4,096 (4K) rows

• Packages

Plastic SOJ (300 mil)

Plastic TSOP (300 mil)

• Timing

50ns access

60ns access

• Refresh Rates

Standard Refresh

Self Refresh (128ms period)

MARKING

-5

-6

None

**NC on 2K refresh and A11 on 4K refresh options.

4 MEG x 4 FPM DRAM PART NUMBERS

PART NUMBER

MT4LC4M4B1DJ-6

MT4LC4M4B1DJ-6 S

MT4LC4M4B1TG-6

MT4LC4M4B1TG-6 S

MT4LC4M4A1DJ-6

MT4LC4M4A1DJ-6 S

MT4LC4M4A1TG-6

MT4C4M4A1TG-6 S

MT4C4M4B1DJ-6

MT4C4M4B1DJ-6 S

MT4C4M4B1TG-6

MT4C4M4B1TG-6 S

MT4C4M4A1DJ-6

MT4C4M4A1DJ-6 S

MT4C4M4A1TG-6

MT4C4M4A1TG-6 S

3.3V

REFRESH

ADDRESSING PACKAGE REFRESH

SOJ

TSOP

SOJ

TSOP

SOJ

TSOP

SOJ

TSOP

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

NOTE:

1. The 4 Meg x 4 FPM DRAM base number differenti-

ates the offerings in one place—MT4LC4M4B1. The

fifth field distinguishes various options: B1

designates a 2K refresh and A1 designates a 4K

refresh for FPM DRAMs.

2. The # symbol indicates signal is active LOW.

*Contact factory for availability

Part Number Example:

MT4LC4M4B1DJ

KEY TIMING PARAMETERS

SPEED

-5

-6

RAC

CAC

84ns

110ns

50ns

60ns

20ns

35ns

25ns

30ns

13ns

15ns

30ns

40ns

4 Meg x 4 FPM DRAM

D49_5V.p65 – Rev. 5/00

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

MT4LC4M4A1TG-6相似产品对比

	MT4LC4M4A1TG-6	MT4C4M4B1TG-6S	MT4LC4M4B1DJ-6	5611	MT4C4M4A1DJ-6	MT4C4M4A1DJ-6S	MT4C4M4A1TG-6S	MT4C4M4A1TG-6
描述	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	Precision Potentiometer	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24	Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	-	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	TSOP	TSOP	SOJ	-	SOJ	SOJ	TSOP	TSOP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	-	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24
针数	26/24	26/24	24	-	24	24	26/24	26/24
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	unknown	-	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	-	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns	60 ns	60 ns	-	60 ns	60 ns	60 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24	R-PDSO-J24	-	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-G24	R-PDSO-G24
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	e0	e0	e0	e0
长度	17.14 mm	17.14 mm	17.17 mm	-	17.17 mm	17.17 mm	17.14 mm	17.14 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	-	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	-	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4	-	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	-	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	-	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	-	24	24	24	24
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	-	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	-	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX4	4MX4	4MX4	-	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	SOJ	-	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP24/26,.36	TSOP24/26,.36	SOJ24/26,.34	-	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	TSOP24/26,.36	TSOP24/26,.36
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	235	235	235	-	235	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	235
电源	3.3 V	5 V	3.3 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	2048	2048	-	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	3.61 mm	-	3.61 mm	3.61 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	NO	YES	NO	-	NO	YES	YES	NO
最大待机电流	0.0005 A	0.00015 A	0.0005 A	-	0.0005 A	0.00015 A	0.00015 A	0.0005 A
最大压摆率	0.09 mA	0.13 mA	0.1 mA	-	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	5.5 V	3.6 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	4.5 V	3 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	5 V	3.3 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	J BEND	-	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	-	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.67 mm	-	7.67 mm	7.67 mm	7.62 mm	7.62 mm

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