Variable Capacitance Diode, 32V, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
| 包装说明 | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 32 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 最小二极管电容比 | 2.5 |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved