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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MURF1640CTC0G
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MURF1640CTC0G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小415KB，共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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MURF1640CTC0G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MURF1640CTC0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
应用HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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CREAT BY A
MURF1620CT - MURF1660CT
16.0AMPS. Isolated Switchmode Power Rectifiers
ITO-220AB
Features
UL Recognized File # E-326243
Ultrafast 35 and 60 Nanasecond Recovery times
175℃ operating Junction Temperature
Popular ITO-220AB Package
Expoxy meets UL94, V0 @ 1/8"
High temperature glass passivated junction
High voltage capability to 600 volts
Low leakage specified @ 150℃ case temperature
Current derating @ both case and ambient
temperatures
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Case: Epoxy, molded
Terminal: Pure tin plated, lead free
Lead temperature for soldering purposes:
260℃ Max. for 10 seconds
Finish: all external surfaces corrosion resistant and
terminal leads are readily solderable
Shipped 50 units per plastic tube
Weight:1.9 grams
Ordering Information (example)
Part No.
Package
Packing
Packing code
C0
Packing code
(Green)
C0G
MURF1620CT ITO-220AB 50 / TUBE
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
℃
ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ I
F
=8 A, T
A
=25℃
@ I
F
=8 A, T
A
=125℃
Maximum Reverse Current
@ T
A
=25
℃
@ T
A
=125
℃
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note 1: Pulse lest: tp = 300uS, Duty Cycle<1%
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
MURF
1620CT
200
140
200
MURF
1640CT
400
280
400
16
100
MURF
1660CT
600
420
600
Units
V
V
V
A
A
V
F
0.975
0.895
5
250
25
3.0
1.3
1.1
10
500
50
2.0
-55 to + 150
-55 to + 150
1.5
1.2
V
I
R
T
rr
R
θJC
T
J
T
STG
uA
ns
O
C/W
O
O
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Condition:IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
Version:I13

MURF1640CTC0G相似产品对比

MURF1640CTC0G MURF1620CTC0 MURF1620CTC0G MURF1640CTC0 MURF1660CTC0 MURF1660CTC0G
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 ITO-220AB, 3 PIN R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
应用 HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 0.975 V 0.975 V 1.3 V 1.5 V 1.5 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A 100 A
元件数量 2 2 2 2 2 2
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A 8 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V 200 V 400 V 600 V 600 V
最大反向电流 10 µA 5 µA 5 µA 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.025 µs 0.025 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE

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