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BF511TRL13

产品描述TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共4页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准  
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BF511TRL13概述

TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal

BF511TRL13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术JUNCTION
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BF511TRL13相似产品对比

BF511TRL13 BF513TRL BF513TRL13 BF511TRL BF510TRL BF510TRL13 BF512TRL 5600201530_17
描述 TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal DuraClik Wire-to-Board Header, Single Row, Vertical, 15 Circuits, Gold (Au) Over Nickel, Natural
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) -
Reach Compliance Code unknown compliant compliant unknown compliant compliant unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
最小漏源击穿电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V -
最大漏极电流 (ID) 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A -
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION -
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 -
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 -
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES -
端子面层 Tin (Sn) TIN TIN Tin (Sn) TIN TIN TIN -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40 40 40 40 -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -

 
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