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RD30ESAB2

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小61KB,共4页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准  
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RD30ESAB2概述

Zener Diode,

RD30ESAB2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗55 Ω
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值250 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
参考标准TS 16949
标称参考电压28.42 V
最大反向电流0.2 µA
反向测试电压23 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.52%
工作测试电流5 mA

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TH97/10561QM
TW00/17276EM
IATF 0060636
SGS TH07/1033
RD2.0ES SERIES
V
Z
: 2.0 - 37.5Volts
P
D
: 400 mW
ZENER DIODES
DO - 34 Glass
0.078 (2.0 )max.
1.00 (25.4)
min.
FEATURES :
* High reliability
* Low leakage current
* Suitable for 5mm - pitch high speed automatical
insertion
* Pb / RoHS Free
Cathode
Mark
0.118 (3.0)
max.
0.017 (0.43)max.
1.00 (25.4)
min.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-34 Glass Case
Weight:
approx. 0.093g
Dimensions in inches and ( millimeters )
ORDERING INFORMATION
RD2.0ES to RD39ES with suffix "AB1", "AB2", or "AB3"
should be applied for oders for suffix "AB"
MAXIMUM RATINGS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified
Parameter
Forward Rectifier Current
Power Dissipation
Surge Reverse Power (t = 10μs)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
I
F
P
D
P
RSM
Tj
Tstg
Value
150
400
100
175
- 65 to + 175
Unit
mA
mW
W
°C
°C
Fig. 1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE
500
P
D
, MAXIMUM DISSIPATION
(MILLIWATTS)
400
300
200
100
0
0
20
40 60 80 100 120 140 160 180 200
Ta
,
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
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Rev. 03 : December 3, 2008

 
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