EDI8M8257C85C6B,EDI8M8257C85C6B pdf中文资料,EDI8M8257C85C6B引脚图,EDI8M8257C85C6B电路-Datasheet-电子工程世界

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EDI8M8257C85C6B: 产品描述SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS,; 产品类别存储存储; 文件大小455KB，共8页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI8M8257C85C6B概述

SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS,

EDI8M8257C85C6B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-T32
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

EDI8M8257C85C6B相似产品对比

	EDI8M8257C85C6B	EDI8M8257C85P6C	EDI8M8257C55C6B	EDI8M8257C55P6C	EDI8M8257C100C6B	EDI8M8257C45P6C	EDI8M8257C100P6C	EDI8M8257C150C6B	EDI8M8257C35C6B	EDI8M8257C70P6C
描述	SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 35ns, CMOS,	SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	85 ns	85 ns	55 ns	55 ns	100 ns	45 ns	100 ns	150 ns	35 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C	70 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	-	-	-	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	e0	-	e0	e0	e0	-
封装代码	DIP	DIP	DIP	-	DIP	-	DIP	DIP	DIP	-
封装等效代码	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	-	DIP32,.6	-	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
电源	5 V	5 V	5 V	-	5 V	-	5 V	5 V	5 V	-
最大待机电流	0.01 A	0.005 A	0.02 A	-	0.01 A	-	0.005 A	0.01 A	0.02 A	-
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-
最大压摆率	0.11 mA	0.09 mA	0.21 mA	-	0.11 mA	-	0.09 mA	0.11 mA	0.21 mA	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-	2.54 mm	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

EDI8M8257C85C6B

EDI8M8257C85C6B概述

EDI8M8257C85C6B规格参数

EDI8M8257C85C6B相似产品对比

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