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EDI8M8257C85P6C

产品描述SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS,
产品类别存储    存储   
文件大小455KB，共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8M8257C85P6C概述

SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS,

EDI8M8257C85P6C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-T32
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

EDI8M8257C85P6C相似产品对比

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描述 SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 55ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 45ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 35ns, CMOS, SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 85 ns 55 ns 55 ns 85 ns 100 ns 45 ns 100 ns 150 ns 35 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 125 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 -
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON -
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 - e0 e0 e0 -
封装代码 DIP DIP - DIP DIP - DIP DIP DIP -
封装等效代码 DIP32,.6 DIP32,.6 - DIP32,.6 DIP32,.6 - DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V 5 V - 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V -
最大待机电流 0.005 A 0.02 A - 0.01 A 0.01 A - 0.005 A 0.01 A 0.02 A -
最小待机电流 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
最大压摆率 0.09 mA 0.21 mA - 0.11 mA 0.11 mA - 0.09 mA 0.11 mA 0.21 mA -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
厂商名称 - - - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]

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