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HM658128DP-12

产品描述Pseudo Static RAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
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文件大小231KB,共10页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM658128DP-12概述

Pseudo Static RAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

HM658128DP-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
长度41.9 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.0002 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
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