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LT2A06-T

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小58KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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LT2A06-T概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15,

LT2A06-T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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LT2A01 - LT2A07
2.0A RECTIFIER
Features
·
·
·
·
Diffused Junction
High Current Capability and Low Forward
Voltage Drop
Surge Overload Rating to 70A Peak
Plastic Material - UL Flammability
Classification 94V-0
A
B
A
Mechanical Data
·
·
·
·
·
·
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: 0.4 grams (approx)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
DO-15
Dim
A
B
C
D
Min
25.40
5.50
0.686
2.60
D
C
Max
7.62
0.889
3.6
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@ T
A
= 55°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Leakage Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
2
t Rating for Fusing (t < 8.3ms)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
@ I
F
= 2.0A
@T
A
= 25°C
@ TA = 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
I
2
t
C
j
R
qJA
T
j,
T
STG
LT2
A01
50
35
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
LT2
A02
100
70
LT2
A03
200
140
LT2
A04
400
280
2.0
70
1.1
5.0
50
17.5
15
60
-65 to +150
LT2
A05
600
420
LT2
A06
800
560
LT2
A07
1000
700
Unit
V
V
A
A
V
µA
A
2
s
pF
K/W
°C
Notes:
1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.
DS29008 Rev. A-2
1 of 2
LT2A01-LT2A07

LT2A06-T相似产品对比

LT2A06-T LT2A02-T LT2A04-T LT2A07-T LT2A05-T LT2A01-T
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-15 DO-15 DO-15 DO-15 DO-15 DO-15
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 70 A 70 A 70 A 70 A 70 A 70 A
元件数量 1 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最大输出电流 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V 100 V 400 V 1000 V 600 V 50 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 -
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